[发明专利]多层立体集成电路无效
| 申请号： | 96109183.5 | 申请日： | 1996-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN1174411A | 公开（公告）日： | 1998-02-25 |
| 发明（设计）人： | 葛晓峰 | 申请（专利权）人： | 葛晓峰 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L21/82 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100061 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属电子技术领域,目前的集成电路很难再提高密度,本发明目的在于,提供一种成倍提高密度的方法。本发明是这样实现的,把集成电路做成多层立体的结构。 | ||
| 搜索关键词： | 多层 立体 集成电路 | ||
【主权项】：
一种多层立体集成电路，其特征在于：多层立体结构先制好一片集成电路，再在集成片上涂制一层绝缘层，再用光刻腐蚀的方法在第一，二层集成片之间需要连接的部位把绝缘层腐蚀出窗口，再将集成片曝置在受主杂质的热气体中，使绝缘层上再形成一层P型层，一层新的P型衬底，可再在这层新的P型衬底上再制造一层新的集成电路通过绝缘层上的窗口，可使一，二层集成电路之间需要相通的部位相通。再在第二层集成电路上面再涂一层绝缘层后，用以上方法再制造第三层集成电路和地四层，第五层保护以上特征。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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