[发明专利]从离子束中和装置和注入装置就地清除污染物用的方法和装置无效
| 申请号： | 96109322.6 | 申请日： | 1996-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN1097301C | 公开（公告）日： | 2002-12-25 |
| 发明（设计）人： | Ｊ·Ｇ·布莱克 | 申请（专利权）人： | 艾克塞利斯技术公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L21/322 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吴增勇,萧掬昌 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供清除粘结在离子束中和装置(46)和离子束注入装置(10)的离子束注入室(18)内表面的污染物的方法和装置。污染物是用等离子体辉光放电从中和装置和注入装置清除的。污染物还用离子束膨胀的方法从中和装置清除。 | ||
| 搜索关键词： | 离子束 中和 装置 注入 就地 清除 污染物 方法 | ||
【主权项】：
1.一种自清洁离子束中和装置(46)，其特征在于它包括：由离子束注入系统(10)的支持结构(64)伸出的中空体的靶(60)，用来向中空体靶(60)内壁发射高能电子，以产生低能二次电子或从所述中空体内部的等离子体吸引出低能电子的电子发射装置，与所述中空体靶邻接并与之电绝缘的长型中空件延伸管(62)，以及用来产生等离子体辉光放电以便从所述中空体靶和所述长型延伸管清除污染物的清洁装置。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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