[发明专利]真空层压设备和方法无效
| 申请号： | 96109410.9 | 申请日： | 1996-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN1081834C | 公开（公告）日： | 2002-03-27 |
| 发明（设计）人： | 丝山诚纪;深江公俊;井上裕二 | 申请（专利权）人： | 佳能株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;B32B31/20 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 张祖昌 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种真空层压设备包括一个由一基底件、一具有除气孔的筒管和一挠性盖件构成的层压空间。$#! | ||
| 搜索关键词： | 真空 层压 设备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种真空层压设备，它包括：一个基底件，一个用于在基底件上形成层压空间的筒管，该筒管设置得围绕层压空间，该筒管在面对层压空间侧具有除气孔，其中，层压空间是通过将管筒连接于一真空泵而通过除气孔抽取真空的，以及一个挠性盖件，该盖件设置在筒管和层压空间上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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