[发明专利]一种磁控溅射镀吸收膜工艺无效
| 申请号： | 96109515.6 | 申请日： | 1996-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN1174897A | 公开（公告）日： | 1998-03-04 |
| 发明（设计）人： | 张入通 | 申请（专利权）人： | 张入通 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/06 |
| 代理公司： | 北京万科园专利事务所 | 代理人： | 张亚军,李丕达 |
| 地址： | 100011 北京市德*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种磁控溅射镀吸收膜工艺,尤其适用于太阳能真空集热管的吸收膜制备,其特点是反应气体采用干燥空气或氮、氧及乙炔。采用本发明的技术方案,反应气体来源容易,成本低;组成的选择性吸收膜抗氧化性能和耐磨性能好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磁控溅射 吸收 工艺 | ||
【主权项】：
1、一种磁控溅射镀吸收膜工艺，包括采用单靶金属铝(或钛)，装入工件，抽真空，输入氩气，靶加负压，工件转动，然后输入反应气体，其特征在于所说的反应气体是干燥空气或氮、氧及乙炔。
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