[发明专利]高密度并联式只读存储器

摘要

一种高密度并联式只读存储器,其主要保持感测路径上的埋层N+电阻值不变,另为使选择线下驱动的无用选择门或转换门得以隔离,主要以离子植入方式形成隔离用的埋层P+,并使离子的扩散不会造成选择线下驱动的有用转换门或选择门的宽度变小或切断,以达到密度高及速度快的目的。其包括字元线、位元线、金属导线、选择线、埋层延伸区及离子植入区;位元线与字元线垂直交叉成只读存储器单元矩阵,选择线设于只读存储器单元矩阵基体的上、下方。

主权项

1、一种高密度并联式只读存储器，其包括有：(1)字元线，其为至少一个呈横向相互平行的多晶硅构成；(2)位元线，其为至少一个呈纵向相互平行的埋层N+构成，并与字元线垂直交叉而成只读存储器单元矩阵；(3)金属导线，设置于每相隔一条埋层N+的上层平面并连结金属接触区；(4)选择线，由多晶硅所构成，并设置于只读存储器单元矩阵基体的上、下方，可作为该只读存储器区块的选择；(5)埋层延伸区，设于该金属接触区的下方，并延伸至该选择线上；(6)离子植入区，将该选择线上不必要的选择门或转换门以埋层P+的离子植入方式达到绝缘状。