[发明专利]集成电路无效
| 申请号： | 96110176.8 | 申请日： | 1996-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN1134841C | 公开（公告）日： | 2004-01-14 |
| 发明（设计）人： | 宋敏圭 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 杨梧 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种集成电路，包括：在一微电子衬底上的多个微电子器件；在微电子衬底上的多个金属配线层，多个金属配线层包括一个具有多个导电区域的外部金属配线层；在外部金属配线层上的一钝化层，其填充在所述外部金属配线层中的所述多个导电区域的间隙；在钝化层上的一模具化合物，所述钝化层阻止所述模具化合物在所述外部导电层中的所述多个导电区域之间延伸，从而消除在外部金属配线层上的模具化合物的电容性负荷。本发明装置即不增加生产成本、结构又简单，可不受模具化合物所引起的寄生电容增加的影响，提高了半导体封装器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 | ||
【主权项】：
1、一种集成电路，包括：在一微电子衬底上的多个微电子器件；在所述微电子衬底上的多个金属配线层，所述多个金属配线层包括一个具有多个导电区域的外部金属配线层；在所述外部金属配线层上的一钝化层，其填充在所述外部金属配线层中的所述多个导电区域的间隙；在所述钝化层上的一模具化合物，所述钝化层阻止所述模具化合物在所述外部导电层中的所述多个导电区域之间延伸，从而消除在外部金属配线层上的模具化合物的电容性负荷。
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