[发明专利]磁存储器及磁存储器中使用的磁记录媒体无效
| 申请号： | 96110204.7 | 申请日： | 1996-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN1082219C | 公开（公告）日： | 2002-04-03 |
| 发明（设计）人： | 山本朋生;稻叶信幸;五十岚万寿和;二本正昭;细江让;玉井一郎;万行惠美;山中一助 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立制作所 |
| 主分类号： | G11B5/706 | 分类号： | G11B5/706;G11B5/245 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 冯赓宣 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 磁记录媒体的磁性层采用从一组氧化物及氮化物中选出的至少一种非磁性化合物及以Co和Pt为主要成分的磁性材料的混合物构成，且该磁性层内的Pt对Co的克分子比为特定值，通过采用磁阻效应型再生用磁头，可获得高的S/N和低的误码率，能以每平方英寸1千兆位以上的高记录密度进行记录再生，能实现可靠性高的磁存储器。$ | ||
| 搜索关键词： | 磁存储器 使用 记录 媒体 | ||
【主权项】：
1.一种磁存储器，它备有直接或间隔着基底层在基片上形成了磁性层的磁记录媒体及对该磁记录媒体进行记录和再生的磁头，该磁存储器的特征在于：上述磁记录媒体的磁性层由下述一般式MOx表示的非磁性化合物及CoPt二元合金磁性材料的混合物构成，且在该磁性层内Pt对Co的克分子比在0.6以上、1.2以下，上述非磁性材料的克分子比在0.1以上、2.8以下，并且，上述磁头包括磁电阻效应型再生用磁头，一般式MOx表示从氧化硅、氧化铝、氧化钽、氧化钇、氧化钛中选出的至少一种化合物。
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