[发明专利]光电池及其制造方法无效
| 申请号： | 96110224.1 | 申请日： | 1996-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN1151561C | 公开（公告）日： | 2004-05-26 |
| 发明（设计）人： | 一濑博文;长谷部明男;村上勉;新仓谕;上野雪绘 | 申请（专利权）人： | 佳能株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/04 | 分类号： | H01L31/04;H01L31/0224;H01L31/18;C09J9/02 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种光电器件，至少备有一个半导体层、一个电流收集极和一个电连接到该电流收集极的汇流条。该电流收集极由金属线构成。并且将电流收集极的一部分放置在汇流条和半导体层之间。 | ||
| 搜索关键词： | 光电池 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种光电器件，包括：半导体层、所述半导体层上的粘合剂或粘接剂、固定于所述粘合剂或粘接剂上的电流收集极、以及固定于所述粘合剂或粘接剂上且电连接于所述电流收集极的汇流条，其特征在于：所述电流收集极包括金属线；所述汇流条位于所述电流收集极上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
