[发明专利]半导体器件薄膜的平面化方法无效
| 申请号： | 96110421.X | 申请日： | 1996-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN1050693C | 公开（公告）日： | 2000-03-22 |
| 发明（设计）人： | 权炳仁 | 申请（专利权）人： | 现代电子产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 叶恺东,萧掬昌 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件薄膜平面化方法，它通过改善平面化的方法可以提高器件的产量，该方法是在具有高拓扑结构的绝缘膜上涂敷光致抗蚀剂，用低能量曝光，在显影处理过程中保留处在绝缘膜凹陷部分的光致抗蚀剂，然后利用保留的光致抗蚀剂作为蚀刻阻挡层蚀刻暴露的绝缘膜。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 薄膜 平面化 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体薄膜平面化的方法，其特征在于包括以下步骤：在具有拓扑结构的薄膜上涂敷光致抗蚀剂；使除所述光致抗蚀剂较低部分之外的所述光致抗蚀剂曝光；除去所述光致抗蚀剂的曝光后的部分，保留在所述薄膜凹陷部分上的所述光致抗蚀剂，由此暴露所述薄膜的峰顶部分；除去所述薄膜的所述峰顶部分，把涂敷在所述薄膜凹陷部分上的所述光致抗蚀剂在上述除去所述薄膜峰顶部分步骤过程中用作掩模；以及除去涂敷在所述薄膜凹槽部分上的所述光致抗蚀剂。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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