[发明专利]由多晶硅炉料制备熔硅熔料的方法无效
| 申请号： | 96110663.8 | 申请日： | 1996-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN1082572C | 公开（公告）日： | 2002-04-10 |
| 发明（设计）人： | 约翰·Ｄ·霍尔德 | 申请（专利权）人： | MEMC电子材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 张祖昌 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了一种用多晶硅制备熔硅熔料的工艺，该熔硅熔料用于通过切克劳斯基方法生产单晶硅。初始向坩埚中填充多晶硅并加以熔化，形成包含熔硅和未熔化多晶硅的特殊熔化炉料。熔硅具有一个上表面，未熔化多晶硅部分暴露于该上表面之上。以一种方式向暴露的未熔化多晶硅上添加颗粒状多晶硅，该方式足以使颗粒状多晶硅在停留于暴露的未熔化多晶硅的表面期间和在逐渐沉入熔硅之前实现脱氢。然后颗粒状多晶硅和未熔化的多晶硅全部熔化形成熔硅熔料。该方法使生产单晶硅晶锭时的零缺陷成品率、产量和平均热循环时间均得到改善。$#! | ||
| 搜索关键词： | 多晶 炉料 制备 熔硅熔料 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于在坩埚中制备一熔池熔硅的工艺，该熔硅用于通过切克劳斯基法在其中生长单晶硅晶锭，该工艺包括：(a)通过在坩埚中填充块状多晶硅并将该块状多晶硅的一部分熔化而在坩埚中形在一种部分熔化炉料，该部分熔化炉料包含具有上表面的熔硅和暴露在熔硅的上表面之上的未熔化的块状多晶硅；(b)向暴露的未熔化块状多晶硅上添加颗粒状多晶硅，并且(c)将未熔化块状多晶硅和所添加的颗粒状多晶硅进行熔化，形成一熔池熔硅。
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