[发明专利]用于改善静电击穿电压的半导体器件的输入保护电路无效
| 申请号： | 96110768.5 | 申请日： | 1996-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN1116703C | 公开（公告）日： | 2003-07-30 |
| 发明（设计）人： | 三木淳范 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/58 | 分类号： | H01L23/58;H01L27/04 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 傅康,邹光新 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在输入保护电路中，双极型保护器件包括：第1导电类型的半导体衬底；第2导电类型的第1扩散层，它形成在衬底中并与第1信号接点相连；第2导电类型的第2扩散层，它形成在衬底中，并与第1扩散层相间隔地平行地延伸；第1导电类型的具有高杂质浓度的第3扩散层，它形成在衬底中，与第1和第2扩散层平行地延伸，并与第2扩散层以结连接，但与第1扩散层隔开。当施加反向偏置电压时，形成的耗尽层厚度变大，从而使热载流子的产生减到最小。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 改善 静电 击穿 电压 半导体器件 输入 保护 电路 | ||
【主权项】：
1.一种用于半导体器件的输入保护电路，它包括：选择性地涂覆在位于第1导电类型半导体衬底上面的层间绝缘膜上的输入信号接点；双极型保护器件，它包括：第1扩散层，它具有与所说第1导电类型相反的第2导电类型，所说的第1扩散层与所说的第1输入信号接点连接，并选择性地形成在所述导体衬底的部分表面；具有所述的第2导电类型的第2扩散层，它形成在所述半导体衬底的所述部分表面，并与所述第1扩散层平行地延伸，但是与所述第1扩散层相隔第1间隔；所述第1导电类型的第3扩散层，它形成在所述半导体衬底中的第1间距中，并与第1和第2扩散层平行地延伸，与第2扩散层以结连接，但与第1扩散层隔开，所述第3扩散层具有高于所述半导体衬底表面部分的杂质浓度；以及与所述第2扩散层相连的电源线；及输入保护电阻，其第1端与所述输入信号接点相连，第2端和输入信号端布线导体相连。
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