[发明专利]一种制造硅片的方法在审
| 申请号： | 96111023.6 | 申请日： | 1996-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN1147571A | 公开（公告）日： | 1997-04-16 |
| 发明（设计）人： | 孙容宣;李东浩 | 申请（专利权）人： | 现代电子产业株式会社 |
| 主分类号： | C30B33/00 | 分类号： | C30B33/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 萧掬昌,张志醒 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制造高纯度硅片的方法，通过利用离子注入和退火的非固有吸杂方法，仅仅进行低温短时间的退火处理，获得的所期望的吸杂效果来实现高纯度硅片的制造。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制造 硅片 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造硅片的方法，包括下列步骤：利用离子注入工艺在硅片中形成晶体缺陷区；退火所述硅片，使晶体缺陷区变成吸杂层，并且在所述吸杂层下面形成去杂区；除去所述的吸杂层，然后进行清洁处理。
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