[发明专利]用栅电极易处置隔层形成单边缓变沟道半导体器件的方法无效
| 申请号： | 96111141.0 | 申请日： | 1996-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN1157480A | 公开（公告）日： | 1997-08-20 |
| 发明（设计）人： | 蒂安·M·唐;罗伯特·B·达维斯;安基斯·A·维尔德;维拉·伊尔德拉姆 | 申请（专利权）人： | 摩托罗拉公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 美国伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种形成单边缓变沟道场效应晶体管以及晶体管堆叠结构的方法包括提供带有覆盖的栅电极(14，16)的衬底(10)。只在该栅电极的漏侧形成一个隔层(23)。在与该栅电极的源侧对准的情况下形成一个缓变沟道区(36)，而该隔层保护该沟道区的漏侧。形成源/漏区(38)，除去该隔层，然后在与该栅电极的漏侧对准的情况下形成一个漏扩展区(40)。 | ||
| 搜索关键词： | 电极 处置 隔层 形成 单边 沟道 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成半导体器件的方法，包括以下步骤：提供第一种导电类型的半导体衬底(10)和覆盖该衬底(10)的栅极(14)，其中上述栅极(14)有第一个侧壁，第二个侧壁和一个顶面(28)；形成一个贴近于所说栅极(14)的所说的第二个侧壁的隔层(23)，这里所说的隔层(23)具有一个位于所说栅极(14)的末端的角部(26)；形成隔层(23)的所述步骤完成后，在所说的半导体衬底(10)内形成一个与所述栅极(14)的第一个侧壁充分对准的具有所说的第一种导电类型的第一个掺杂区(36)；在所说的半导体衬区(10)内形成一个与所述栅极(14)的第一个侧壁充分对准的具有第二种导电类型的掺杂源区；在所说的半导体衬底(10)内形成一个与所说的隔层(23)的角部(26)充分对准的具有所说的第二种导电类型的掺杂漏区；除去所说的隔层(23)；以及在所说的半导体衬底(10)内形成一个与所述栅极(14)的第二个侧壁充分对准的掺杂漏扩展区(40)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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