[发明专利]在磁光元件中产生均匀磁场的法拉第旋转器无效
| 申请号： | 96111235.2 | 申请日： | 1996-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN1129022C | 公开（公告）日： | 2003-11-26 |
| 发明（设计）人： | 白崎正孝;福岛畅洋 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | G02F1/09 | 分类号： | G02F1/09 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 冯赓宣 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种包括一个磁光元件和一个磁场产生装置的法拉第旋转器。磁光元件具有一条穿过其中延伸的光路。磁场产生装置安置为不阻挡光路，并且在磁光元件中产生均匀磁场。磁场产生装置可以包括一个第一磁铁装置和一个第二磁铁装置。第一磁铁装置安置为不阻挡光路，并且产生穿过磁光元件的磁场。第二磁铁装置安置为不阻挡光路，并且产生穿过磁光元件的磁场。第二磁铁装置产生的磁场与第一磁铁装置产生的磁场垂直。 | ||
| 搜索关键词： | 元件 产生 均匀 磁场 法拉第旋转 | ||
【主权项】：
1.一种法拉第旋转器，包括：一个磁光元件，具有一条穿过其中延伸的光路；一个第一磁铁装置，它不阻挡光路，并且具有靠近磁光元件相对侧的第一和第二部分，以便该磁光元件在第一与第二部分之间，第一和第二部分一起产生穿过磁光元件的磁场；以及一个第二磁铁装置，它不阻挡光路，并且具有靠近磁光元件相对侧的第一和第二部分，以便该磁光元件在第一与第二部分之间，该相对侧与安置第一磁铁装置的第一和第二部分时的相对侧不同，第二磁铁装置的第一和第二部分一起产生穿过磁光元件的磁场，第一磁铁装置产生的磁场与第二磁铁装置产生的磁场相互作用一起，以形成施加于磁光元件的合成磁场。
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