[发明专利]直流等离子体寻址结构中的抗溅射低脱出功的阴极电极导电涂层无效
| 申请号： | 96111369.3 | 申请日： | 1996-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN1177824A | 公开（公告）日： | 1998-04-01 |
| 发明（设计）人： | J·S·穆尔;W·W·施坦;D·E·凯普哈特 | 申请（专利权）人： | 特克特朗尼克公司 |
| 主分类号： | H01J17/06 | 分类号： | H01J17/06;H01J17/49 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吴增勇,萧掬昌 |
| 地址： | 美国俄*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 电极的难熔化合物涂层(188)是抗溅射并有低脱出功,所以是良好的二次电子发射体,非常抗氧化和用电泳的方法容易涂敷。更具体地说,阴极电极(162)被应用在等离子体寻址结构(10)中。涂层最好是用电泳淀积至少一种难熔化合物的粒子(184)以及烧结物来形成。涂层接着被烘烤以熔化烧结物并把电泳淀积的粒子粘接到电极上去。 | ||
| 搜索关键词： | 直流 等离子体 寻址 结构 中的 溅射 脱出 阴极 电极 导电 涂层 | ||
【主权项】：
1.一种对数据元件进行寻址的寻址结构，该寻址结构包括可电离的气态媒质，存储数据信号的数据元件，阴极和阳极电极，其中阴极和阳极电极间足够的高电位差引起可电离的气态媒质从非电离状态转变到导电的等离子体状态，在数据元件和电气基准点之间提供可阻断的电气连接，用来对数据元件进行选择性的寻址，其特征在于所述阴极包括：沿阴极长度延伸的高导电材料层，以及沿阴极长度延伸并复盖阴极所有其它部分的至少一种难熔化合物涂层。
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