[发明专利]具有增强耦合的薄膜压电阵列及其制造方法无效
| 申请号： | 96111661.7 | 申请日： | 1996-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN1110862C | 公开（公告）日： | 2003-06-04 |
| 发明（设计）人： | 卢卡·曼;森Ｐ·帕克;迪安·巴克 | 申请（专利权）人： | 摩托罗拉公司 |
| 主分类号： | H01L49/00 | 分类号： | H01L49/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 杜日新 |
| 地址： | 美国伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在衬底上制作一个薄膜压电谐振器阵列而且并联成一个具有增强压电耦合的单一的压电谐振器。此阵列包含一个位于衬底上且确定第一电极的第一导电层、多个位于导电层上且各确定一个分隔的压电谐振器的压电材料柱、以及一个位于多个柱上且确定第二电极的第二导电层。这些柱可选择性沉积，或沉积成一个单一的层再腐蚀成柱。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 增强 耦合 薄膜 压电 阵列 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有增强压电耦合的薄膜压电谐振器阵列，其特征在于：一个带有一平坦表面的衬底；一个第一导电层，位于衬底表面上并形成第一电极；多个压电材料柱，位于导电层上，并且每一个压电材料柱形成一个分隔的压电谐振器；以及一个第二导电层，位于多个压电材料柱上并形成第二电极，第一和第二电极相配合以连接多个压电材料柱而形成一个薄膜压电谐振器。
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