[发明专利]磁电阻效应元件及存储元件无效
| 申请号： | 96111903.9 | 申请日： | 1996-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN1130693C | 公开（公告）日： | 2003-12-10 |
| 发明（设计）人： | 间博;上野山雄;川分康博;入江庸介 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | G11B5/39 | 分类号： | G11B5/39 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 程天正,叶恺东 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 用小磁场显示大磁电阻变化的磁电阻效应元件及应用该元件的存储元件。在基板(1)上设置半导体膜(2)，在半导体膜(2)上设置半导体膜(3)，在半导体膜(3)上设置非磁性金属膜(4)。非磁性金属膜(4)上设有良好方型磁化曲线的磁性膜(5)。在基板(1)下设置电极(6)，在磁性膜(7)上设置电极。将激光照射到半导体膜(2)上，在半导体膜(3)中激发产生自旋极化的电子，利用了在磁性膜(5)的界面处电子散射依赖于磁性膜(5)的磁化方向和被激发电子的自旋极化状态。 | ||
| 搜索关键词： | 磁电 效应 元件 存储 | ||
【主权项】：
1、一种磁电阻效应元件，其特征在于具备：可偏转的光源；与上述光源光学耦合以被其发出的光激发而可实现电子自旋极化的半导体部分；与上述半导体部分电连接的磁性膜部分；以及在应测定到元件的阻抗的上述半导体部分和上述磁性膜部分上分别设置的电极部分。
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