[发明专利]声驻波(SAW)器件及其制造方法无效

专利信息
申请号: 96111969.1 申请日: 1996-08-30
公开(公告)号: CN1157806C 公开(公告)日: 2004-07-14
发明(设计)人: 高山他;仓增敬三郎;须川俊夫 申请(专利权)人: 松下电器产业株式会社
主分类号: H01L41/047 分类号: H01L41/047
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 王以平
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明的目的是提供一种应用了可承受大的外加功率又防止插入损耗增加的叉指式换能器电极的SAW器件。其构成是具有压电体基板和设于该压电体基板的表面上边的叉指式换能器电极,上述叉指式换能器电极被构成为使铝膜和由其弹性系数比铝膜大的导电体材料构成的膜交互地进行叠层,且由上述导电体材料构成的膜及上述铝膜的叠层数目各为2层以上,上述铝膜的各层的厚度小于150nm,而且,由上述导电体材料构成的膜的各层的厚度比上述铝膜的厚度薄,上述导电体材料由钛、铜、钯、铬、钼、钨、钽、铌、锆、铪、钒、镍和银中选择的一种材料构成,上述叉指式换能器电极的最表面层是上述铝膜,而且其膜厚小于50nm。
搜索关键词: 驻波 saw 器件 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种声驻波器件,其特征是:具有压电体基板和设于该压电体基板的表面上边的叉指式换能器电极,上述叉指式换能器电极被构成为使铝膜和由其弹性系数比铝膜大的导电体材料构成的膜交互地进行叠层,且由上述导电体材料构成的膜及上述铝膜的叠层数目各为2层以上,上述铝膜的各层的厚度小于150nm,而且,由上述导电体材料构成的膜的各层的厚度比上述铝膜的厚度薄,上述导电体材料由钛、铜、钯、铬、钼、钨、钽、铌、锆、铪、钒、镍和银中选择的一种材料构成,上述叉指式换能器电极的最表面层是上述铝膜,而且其膜厚小于50nm。
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