[发明专利]半导体装置及其保护方法无效
| 申请号： | 96112047.9 | 申请日： | 1996-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN1097854C | 公开（公告）日： | 2003-01-01 |
| 发明（设计）人： | 大村一郎;小仓常雄;松下宪一;二宫英彰 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L23/62 | 分类号： | H01L23/62;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 杜日新 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体装置，具有主开关器件，具有高电压一侧主电极(12)、低电压一侧主电极(18)和第1栅极电极(17)；电场检测器件(20a)，具有与主开关器件产生的规定电场相对应，以不通过上述主开关器件内部的路径，使上述高电压一侧主电极与上述第1栅极电极之间变成导通状态的MOS构造(23，26，27)；导通电压施加装置(Rg)，依据上述导通状态给上述第1栅极电极加上导通电压。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 保护 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包括：主开关器件，具有高电压一侧主电极(12)，低电压一侧主电极(18)和第1栅极电极(17)；电场检测器件(20a)，具有：电连到上述高电压一侧主电极上的第1导电型半导体层(23)、在该第1导电型半导体层表面上选择性地形成的多个第2导电型半导体层(24)、在被这些第2导电型半导体层夹在中间的第1导电型半导体层上边介以栅极绝缘膜(26)而形成并电连到上述第1栅极电极上的第2栅极电极(27)，并与在主开关器件上产生的规定的电场相对应，以与上述主开关器件的内部不同的路径，使上述高电压一侧主电极及上述第1栅电极之间变成导通状态；导通电压施加装置(Rg)，用于依据上述导通状态给上述第1栅极电极加上导通电压。
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