[发明专利]半导体衬底及其制造方法无效
| 申请号： | 96112241.2 | 申请日： | 1996-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN1076861C | 公开（公告）日： | 2001-12-26 |
| 发明（设计）人： | 佐藤信彦;米原隆夫 | 申请（专利权）人： | 佳能株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 半导体衬底的制造方法，包括以下步骤设置有生长在其上的多孔单晶硅层和无孔单晶硅层的第１部件，将第１部件的无孔硅层叠放在第２部件上，第１与第２部件间有设置于第１和第２部件的至少一叠放面上的绝缘层，腐蚀掉多孔单晶硅层，其中，以控制的低生长速率生长无孔单晶硅层，使得无孔单晶硅层生长到厚度相当于多孔单晶硅层的孔径时，晶体生长面上留下的孔的密度不大于１０００／cm＃+[2]。$＃! | ||
| 搜索关键词： | 半导体 衬底 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.半导体衬底的制造方法，衬底有多孔单晶硅层和在多孔单晶硅层上生长的无孔单晶硅层，其特征是，在至少含有硅源气体和氢气的气氛中以控制的生长速率生长无孔单晶硅层，使得当无孔单晶硅层生长到厚度相当于多孔单晶硅层的孔的最大直径时，晶体生长面上留下的孔的密度不大于1000/cm2。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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