[发明专利]具有电容器的半导体存储器件

摘要

具有电容器的半导体存储器件包括基片;转移晶体管形成在基片上;存储电容器连接到转移晶体管漏极上。存储电容器包括柱状类树干状导电层,到转移晶体管漏极度区上。类树枝状的上导电层在类树干状导电层上方。类树枝状的下导电层连到类树枝状的上导电层下表面上。类树干状导电层、类树枝状的上导电层、和类树枝状的下导电层构成存储电容器的存储电极。一上导电层形成在一介电层上,以构成存储电容器的一相对电极。

主权项

1、一种具有电容器的半导体存储器件包括：一基片；一转移晶体管，形成在该基片上，并包括漏极和源极区；以及一存储电容器，电连接到该转移晶体管的漏极和源极区之一上，该存储电容器包括：一类树干状导电层，具有一底部，电连接到该转移晶体管的该漏极和源极区之一上，该类树干状导电层又具有向上延伸部，以一大致向上的方向，从该底部延伸出，一类树枝状的上导电层，电连接在该类树干状导电层上方，至少一类树枝状的下导电层，具有一似L形的剖面，该类树枝状的下导电层连接到该类树枝状的上导电层之下表面上，该类树干状导电层、类树枝状的上导电层、和类树枝状的下导电层构成该存储电容器的一存储电极，一介电层，形成在该类树干状导层、类树枝状的上导电层、和类树枝状的下导电层暴露出的表面上，以及一上导电层，形成在该介电层上，以构成该存储电容器的一相对电极。