[发明专利]具有电容器的半导体存储器件

摘要

一种具有电容器的半导体存储器件，包括基底、形成在该基底上的转移晶体管与存储电容器。转移晶体管的漏极和源极区之一电连接到存储电容器。电容器包含类树干状导电层、至少第一类树枝状导电层、第二类树枝状导电层、介电层与上导电层，其中类树干状导电层电连接到漏极和源极区之一，而这些类树枝状导电层的末端连接在类树干状导电层的外表面上，与类树干状导电层构成电容器的存储电极，而上导电层构成电容器的相对电极。$＃!

主权项

1、一种具有电容器的半导体存储器件，包括：一基底；一转移晶体管，形成在该基底上，并包括漏极和源极区；以及一存储电容器，电连接到该转移晶体管的漏极和源极区之一上，该存储电容器包括一类树干状导电层，具有一底部，电连接到该转移晶体管的该漏极和源极区之一上，该类树干状导电层又具有一向上延伸部，以一大致向上的方向，从该底部延伸出，至少一第一类树枝状导电层，具有一似L形的剖面，该第一类树枝状导电层的一末端连接在该类树干状导电层的内表面上，该类树干状导电层和第一类树枝状导电层构成该存储电容器的一存储电极，一介电层，形成在该类树干状导电层和第一类树枝状导电层暴露出的表面上，以及一上导电层，形成在该介电层上，以构成该存储电容器的一相对电极，其特征在于，该类树干状导电层包括一下树干部，电连接到该转移晶体管的该漏极和源极区之一上；以及一上树干部，大致以垂直方向自该下树干部的周边往上延伸出。