[发明专利]一种半导体薄膜电热元件及其制法无效

专利信息
申请号: 96112951.4 申请日: 1996-10-03
公开(公告)号: CN1180288A 公开(公告)日: 1998-04-29
发明(设计)人: 黄文德 申请(专利权)人: 黄文德
主分类号: H05B3/26 分类号: H05B3/26;H05B3/12
代理公司: 厦门市专利事务所 代理人: 徐东峰
地址: 361004 *** 国省代码: 福建;35
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摘要: 发明公开了一种半导体薄膜电热元件,是在绝缘耐热的底衬上有一层致密的稀土复合物半导体薄膜,电热元件两端是电极,其制法是通过化学溶液制备、衬底清洗及预热、高温化学喷涂、反应沉淀结晶成膜、退火并制作电极等过程,缩短了制作过程,且半导体薄膜材料有很好的抗氧化性和抗酸碱腐蚀能力,薄膜与衬底之间分子结合力强,使热稳定性好,在急冷急热冲击下薄膜不易脱落,在高温下不蒸发减薄,克服了现有半导体薄膜电热元件的使用性能差、制作过程复杂等缺点。
搜索关键词: 一种 半导体 薄膜 电热 元件 及其 制法
【主权项】:
1、一种半导体薄膜电热元件,其特征是在绝缘耐热的底衬(1)上有一层致密的稀土复合物半导体薄膜(2),电热元件两端是电极(3)。
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