[发明专利]多层电路基片及其制造方法无效
申请号: | 96113395.3 | 申请日: | 1996-09-12 |
公开(公告)号: | CN1107336C | 公开(公告)日: | 2003-04-30 |
发明(设计)人: | 柳在喆 | 申请(专利权)人: | 三星航空产业株式会社 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H05K3/36 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 杨梧 |
地址: | 韩国庆*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 多层电路基片及其制造方法用光敏绝缘层涂敷基片的上表面,曝光和显影光敏绝缘层以形成具有预定图形和图形间隔的光敏绝缘层,在图形间隔处印导电浆料形成导电层,重复前面步骤,形成由光敏绝缘层和导电层构成的多层,用粘性绝缘层涂敷多层的最上层,通过热压在粘性绝缘层上形成金属薄膜,蚀刻以形成预定图形,并形成导电材料注入其中的通孔,穿通基片、导电层、光敏绝缘层和金属薄膜,将导电层与构图的金属薄膜电连接。 | ||
搜索关键词: | 多层 路基 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1、一种制造多层电路基片的方法,包括下列步骤:用光敏绝缘层涂敷一基片的上表面;曝光和显影所说光敏绝缘层,以形成具有预定图形和图形间隔的光敏绝缘层;其特征在于,该方法还包括如下步骤:通过在所说图形间隔处印刷导电浆料形成导电层;通过重复所说前面的步骤,形成每一层皆由有图形间隔的预定图形的光敏绝缘层和形成在所说图形间隔处的导电层构成的多层;用粘性绝缘层涂敷多层的最上层,通过热压在所说粘性绝缘层上形成一金属薄膜,蚀刻所说金属薄膜以形成金属薄膜的预定图形;和形成导电材料注入其中的通孔,穿通所说基片、导电层、光敏绝缘层和金属薄膜、将所说导电层与所说图形化的金属薄膜电连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造