[发明专利]半导体器件制造工艺中的等离子体蚀刻法

摘要

本发明涉及半导体器件制造工艺中用等离子体选择蚀刻圆片上的载硅层，它包括采用混合气体作为供应气体，混合气体由含氯或氟的蚀刻气体和另一种在等离子体放电时产生碳烯结构中间生成物的气体混合物组成；在断面的载硅层受蚀刻的侧壁上形成在等离子体状态下产生的聚合物，该聚合物为所述中间生成物的混合材料。因此，本发明的蚀刻层断面足以用来制造要求高集成度和超细线条的半导体器件，从而可以制取高容量、高功能的半导体器件。

主权项

1.半导体器件制造工艺中的一种等离子体蚀刻法，该方法将多种供应气体转换成等离子体状态，借助于圆片上多晶硅层上部分加了掩模的图形通过选择性反应和离子冲击蚀刻多晶硅层，其特征在于，它包括以下步骤：采用混合气体作为供应气体，混合气体由含氯的蚀刻气体和另一种在等离子体放电时形成碳烯结构中间生成物的气体混合组成；在断面的多晶硅层受蚀刻的侧壁上形成在等离子体状态下产生的聚合物，该聚合物为所述中间生成物的混合材料。