[发明专利]超强酸催化的无显影气相光刻胶无效
| 申请号： | 96114151.4 | 申请日： | 1996-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN1157475A | 公开（公告）日： | 1997-08-20 |
| 发明（设计）人： | 洪啸吟;卢建平;王培清;陈永麒 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 清华大学专利事务所 | 代理人： | 章瑞溥 |
| 地址： | 10008*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种无显影气相光刻胶，属于光刻技术领域。本发明光刻胶由成膜物质，增感剂、光敏产酸物、溶剂组成。所说的成膜物质为可紫外光固化的光敏树脂如肉桂酸酯类树脂、丙烯酸类树脂。所说的增感剂可用吩噻嗪、N-苯基吩塞嗪、二苯甲酮、蒽、安息香二甲醚、噻吨酮、1-羟基环己基苯基酮。所说的光敏产酸物为二芳基碘盐、三芳基硫盐。所说的溶剂为能溶解上述物质的有机溶剂如环己酮，N，N-二甲胺基甲酰胺，乙酸乙二醇乙醚，上述各组分的配比为成膜物质∶增感剂∶光敏产酸物∶溶剂为(8-9)∶(0.7-1.0)∶(0.3-1.0)∶90。采用本发明光刻胶可达到刻蚀深度1600nm，曝光量可减少至500mJ/cm2。 | ||
| 搜索关键词： | 强酸 催化 显影 光刻 | ||
【主权项】：
1、一种含有成膜物质、增感剂、溶剂的无显影气相光刻胶，其特征是还含有光敏产酸物，所说的成膜物质为可紫外光固化的光敏树脂如肉桂酸酯类树脂、丙稀酸类树脂；所说的增感剂可用吩噻嗪、N-苯基吩噻嗪、二苯甲酮、蒽、安息香二甲醚、噻吨酮、1-羟基环己基苯基酮；所说的光敏产酸物为二芳基碘盐、三芳基硫盐；所说的溶剂为能溶解上述物质的有机溶剂如环己酮，N，N-二甲胺基甲酰胺，乙酸乙二醇乙醚，上述各组分的配比为：成膜物质∶增感剂∶光敏产酸物∶溶剂为(8-9)∶(0.7-1.0)∶(0.3-1.0)∶90。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
