[发明专利]氮化硅陶瓷、制备它们的硅基组合物以及它们的制备工艺无效
| 申请号： | 96114533.1 | 申请日： | 1996-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN1151387A | 公开（公告）日： | 1997-06-11 |
| 发明（设计）人： | 中田成二;山川晃 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | C04B35/584 | 分类号： | C04B35/584;C01B21/068 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 徐汝巽 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种淤浆状硅基组合物，它包含有表面氧化膜厚度在1.5到15nm范围的Si粉末、50到90％重量的水、0.2到7.5％重量的以氧化物表示的烧结助剂和0.05到3％重量的分散剂，硅基组合物的pH值被调节到8-12。该硅基组合物的制备工艺包括在空气中于200至800℃对硅粉末进行氧化处理，向氧化后的Si粉末中添加50到90％重量的水、0.2到7.5％重量的以氧化物表示的烧结助剂和0.05到3％重量的分散剂，调节pH值使最终混合物的pH值为8到12。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 陶瓷 制备 它们 组合 以及 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种淤浆状硅基组合物，包括表面氧化膜厚度在1.5到15nm范围的Si粉末、50到90％重量的水、0.2到7.5％重量的以氧化物表示的烧结助剂和0.05到3％重量的分散剂，所说的淤浆状硅基组合物的PH值被调节到8-12。
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