[发明专利]纳米宽度有机导线的制备方法无效
| 申请号： | 96116467.0 | 申请日： | 1996-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN1046174C | 公开（公告）日： | 1999-11-03 |
| 发明（设计）人： | 华中一 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/3105 |
| 代理公司： | 复旦大学专利事务所 | 代理人： | 陆飞 |
| 地址： | 20043*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种制备纳米宽度有机导线的方法，采用扫描隧道显微镜（ＳＴＭ)技术，工作基质采用低压电双稳材料。先把电双稳材料蒸发到基本上成为均匀薄膜，再用ＳＴＭ技术在基体面上按预先设计的点、线或图形扫描，使扫描过的部分从绝缘态变为导电态，从而获得纳米宽度的有机导线或导电图形。由本发明制备的纳米导线，可避免距离小于０．１微米（１００钠米）的金属导线间因原子徙动而产生短路的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 宽度 有机 导线 制备 方法 | ||
【主权项】：
1．一种制备纳米宽度有机导线的方法，采用扫描隧道显微镜(STM)技术，其特征在于工作基质采用低压电双稳材料，把有机电双稳材料在真空中蒸发到绝缘基体上，使之成为均匀薄膜，然后把基体放入在大气中的STM工作室，在选定的区域上用人工或计算机操纵STM针尖位置，使在带电状态下扫描，并控制扫描速度，使扫描过的部分从绝缘态变为导电态。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
