[发明专利]高频低损耗微晶玻璃材料的制造方法无效
申请号: | 96116647.9 | 申请日: | 1996-12-30 |
公开(公告)号: | CN1059182C | 公开(公告)日: | 2000-12-06 |
发明(设计)人: | 张干城;罗澜;王文华;沈崇德;赵强;项建军;周雪琴 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
主分类号: | C03C10/02 | 分类号: | C03C10/02 |
代理公司: | 上海华东专利事务所 | 代理人: | 潘振苏 |
地址: | 200050*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种高频低损耗微晶玻璃介质材料的制造方法,属于微晶玻璃领域,本发明提供的系统为SiO2-Al2O3-MgO-TiO2系统。具体组成范围(wt%)为SiO236—47,Al2O318.28,MgO15.27,TiO215.20。玻璃熔制温度为1460—1510℃保温3小时,第一阶段晶化温度为730℃±10℃,第二阶段为1250℃±10℃。所得微晶玻璃介电常数介于7.0~7.5,介电损耗〉2X10-4,是一类较理想的高频低损耗微晶玻璃介质材料。 | ||
搜索关键词: | 高频 损耗 玻璃 材料 制造 方法 | ||
【主权项】:
1、一种高频低损耗微晶玻璃材料的制造方法,属于掺杂TiO2的MgO-Al2O3-SiO2系统,其特征在于(1)各组分的重量百分含量是:SiO236-47Al2O318-28MgO15-27TiO215-20(2)TiO2含量的提高造成的玻璃析透现象通过改变SiO2含量,采用熔制后浇铸在模具中快速冷却方法,予以避免;(3)加入1wt%硝酸铵和1wt%氧化砷为澄清剂;(4)熔制温度为1460-1510℃保温3小时;(5)二阶段晶化,第一阶段晶化温度为730℃±10℃,保温1小时;第二阶段晶化温度为1250℃±10℃,保温5小时;(6)以国间氧化镁、氢氧化铝、钛白粉及石英砂为主要原料。
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