[发明专利]半导体器件及其制作方法

摘要

在光吸收器件和半导体器件制作方法中，通过从光吸收表面提供N⁺型扩散层，N^-型外延层、P^-型外延层、P⁺型淀积层以及P型Si来构造光电二极管的内部结构形成低杂质浓度PN结，在光电二极管反偏时产生的空位层将被加宽，光吸收灵敏度和频率特性也将被改进。而且，由于由P^-外延层进行了双极型器件的隔离，可改进P^-型外延生长时杂质浓度控制的效率。

主权项

1.一种半导体器件，由形成在一第一导电类型的半导体衬底中的一光电二极管和一双极型晶体管组成，其中光电二极管包括：在所述第一导电类型的半导体衬底上形成的第一导电类型的第一半导体层；在所述第一半导体层上形成的第一导电类型的第二半导体层；在所述第二半导体层上形成的第二导电类型的第三半导体层；在所述第三半导体上形成的第二导电类型的第四半导体层；以及在所述第四半导体层上形成的电极；其中所述第二半导体层的杂质浓度小于1×1016cm-3，所述第三半导体层的杂质浓度小于1×1016cm-3，所述第一半导体层只用于光电二极管区中。