[发明专利]绝缘栅异质结双极晶体管无效
| 申请号： | 96117550.8 | 申请日： | 1996-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN1053527C | 公开（公告）日： | 2000-06-14 |
| 发明（设计）人： | 李平;李肇基 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/737 | 分类号： | H01L29/737;H01L29/73 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利事务所 | 代理人： | 严礼华 |
| 地址： | 610054 *** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明给出了一簇绝缘栅异质结双极晶体管，其特征在于采用了不同于衬底Ｓｉ材料的窄禁带ＳｉＧｅ材料做为源区，并又采用宽禁带材料作为阳极或短路阳极。在本发明中，ＳｉＧｅ源区窄禁带发射极ＨＢＴ具有很低的β值，使器件闭锁条件得不到满足，而宽禁带阳极的采用又使器件的阳极发射极注入能力提高，因而本发明从器件结构上彻底地消除了闭锁效应，并使器件的可靠性、电流能力、速度等性能有显著改善，另可作为崭新的小信号超高增益场控器件。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘 栅异质结 双极晶体管 | ||
【主权项】：
1、绝缘栅异质结双极晶体管(IGHBT)，其特征是在Si绝缘栅双极晶体管(IGBT)的基础上采用了窄禁带异质SiGe材料做为源区或采用了窄禁带异质SiGe材料做为源区和采用了宽禁带异质材料做为阳极构成一簇纵向或横向IGHBT。
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