[发明专利]形成半导体器件接触孔的方法无效
| 申请号： | 96118975.4 | 申请日： | 1996-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN1154572A | 公开（公告）日： | 1997-07-16 |
| 发明（设计）人： | 李炳锡;郑义三;宋一锡;李海丁 | 申请（专利权）人： | 现代电子产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 柳沈知识产权律师事务所 | 代理人： | 杨梧 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种形成半导体器件接触孔的方法，它可准确控制接触孔的形状，减少硅基片表面的损伤，改善电特性。本方法包括以下步骤形成层间绝缘膜，把碳氟化合物基气体和碳氧化物基气体导入蚀刻层间绝缘膜的蚀刻气体注入其中的蚀刻处理室中，以形成接触孔。防止通过接触孔暴露的半导体基片的部分受到损伤。碳氟化合物基气体从C2F6、C3F8和C4F8组成的组中选出，碳氧化物基气体从由CO和CO2构成的组中选出。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 半导体器件 接触 方法 | ||
【主权项】：
1、形成半导体器件接触孔的方法，它包括以下步骤：形成覆盖要被接触区域的层间绝缘膜；把碳氟化合物基气体和碳氧化物基气体导入蚀刻所述层间绝缘膜的蚀刻气体注入其中的蚀刻处理室中，以形成接触孔，从而防止通过所述接触孔暴露的半导体基片的部分受到损伤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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