[发明专利]含由导电极和托盘形导电层构成的电容电极的半导体器件

摘要

本发明公开用于DRAM存贮器中的含电容器的半导体器件及其制作方法，该电容器包括其间插入电容器介质薄膜的第一和第二电容器电极，其第一电容器电极包括导体电极（53）和盘形导体层（57），导体层（57）被导体电极托架并包括垂直于电极轴延伸的、且有平台周缘的平台部分以及平行于电极轴自平台周缘向电极端头延伸的周缘部分（59）。$#!

主权项

1.一种半导体器件，它包括一电容器，该电容器包括第一电容器电极(53—55)和第二电容器电极(39)，在其间插有电容器介质膜(37)，所述的第一电容器电极包括一具有限定预定长度的电极端头、电极轴、和周缘面的导体电极(53)；以及盘形托架导体层(55)，盘形托架导体层(55)有一托架轴其是在所述周缘面的预在位置上通过平行于所述的电极轴的所述的托架轴由所述的导体电极托架的；还包括一垂直于所述电极轴自所述周缘面延伸的、有一平台周缘的平台部分(57)；和一周缘部分(55)，周缘部分(55)是平行于所述的电极轴自所述平台周缘朝电极端头延伸的，其特征在于所述的第一电容器电极(53—55)还包括一具有一附加轴的、通过平行于所述电极轴的所述附加轴由所述的周缘部分托架的盘形附加导体层(71)；还包括一个自所述周缘面与所述平台部分(57)同平面上延伸的、且有一平面部分周缘的平面部分(73)；自所述平面部分周缘平行于所述电极轴向所述电极端头延伸的附加部分(75)。