[发明专利]含由导电极和托盘形导电层构成的电容电极的半导体器件无效
申请号: | 96119844.3 | 申请日: | 1996-09-27 |
公开(公告)号: | CN1078744C | 公开(公告)日: | 2002-01-30 |
发明(设计)人: | 本间一郎;渡边启仁 | 申请(专利权)人: | 日本电气株式会社 |
主分类号: | H01L21/8242 | 分类号: | H01L21/8242;H01L27/108 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 朱进桂,郑霞 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开用于DRAM存贮器中的含电容器的半导体器件及其制作方法,该电容器包括其间插入电容器介质薄膜的第一和第二电容器电极,其第一电容器电极包括导体电极(53)和盘形导体层(57),导体层(57)被导体电极托架并包括垂直于电极轴延伸的、且有平台周缘的平台部分以及平行于电极轴自平台周缘向电极端头延伸的周缘部分(59)。$#! | ||
搜索关键词: | 导电 托盘 构成 电容 电极 半导体器件 | ||
【主权项】:
1.一种半导体器件,它包括一电容器,该电容器包括第一电容器电极(53—55)和第二电容器电极(39),在其间插有电容器介质膜(37),所述的第一电容器电极包括一具有限定预定长度的电极端头、电极轴、和周缘面的导体电极(53);以及盘形托架导体层(55),盘形托架导体层(55)有一托架轴其是在所述周缘面的预在位置上通过平行于所述的电极轴的所述的托架轴由所述的导体电极托架的;还包括一垂直于所述电极轴自所述周缘面延伸的、有一平台周缘的平台部分(57);和一周缘部分(55),周缘部分(55)是平行于所述的电极轴自所述平台周缘朝电极端头延伸的,其特征在于所述的第一电容器电极(53—55)还包括一具有一附加轴的、通过平行于所述电极轴的所述附加轴由所述的周缘部分托架的盘形附加导体层(71);还包括一个自所述周缘面与所述平台部分(57)同平面上延伸的、且有一平面部分周缘的平面部分(73);自所述平面部分周缘平行于所述电极轴向所述电极端头延伸的附加部分(75)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日本电气株式会社,未经日本电气株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/96119844.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:漏斗-立管式抗压锁料装置
- 下一篇:印刷电路板用焊盘
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造