[发明专利]氮化物半导体器件无效
| 申请号： | 96120525.3 | 申请日： | 1996-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN1160801C | 公开（公告）日： | 2004-08-04 |
| 发明（设计）人： | 中村修二;长滨慎一;岩佐成人 | 申请（专利权）人： | 日亚化学工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余朦 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种具有氮化物半导体层结构的氮化物半导体器件。该层结构包括含铟氮化物半导体构成的量子阱结构的有源层(16)。提供具有比有源层(16)大的带隙能量的第一氮化物半导体层(101)，使之与有源层(16)接触。在第一层(101)之上提供具有比第一层(101)小的带隙能量的第二氮化物半导体层(102)。另外，在第二层(102)之上提供具有比第二层(102)大的带隙能量的第三氮化物半导体层(103)。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种具有氮化物半导体层结构的氮化物半导体器件，其特征为包含：具有第一和第二表面且由含铟氮化物半导体构成的量子阱结构有源层(16)；和有源层(16)第一表面邻接且具有比有源层(16)大的带隙能量的第一氮化物半导体层(101，201)；第二氮化物半导体层(102，202)，它位于有源层(16)第一表面一侧，比第一氮化物半导体层(101，201)离有源层(16)远，且具有比第一氮化物半导体层(101，201)小的带隙能量；第三氮化物半导体层(103，203)，它位于有源层(16)第一表面一侧，比第二氮化物半导体层(102，202)离有源层(16)远，且具有比第二氮化物半导体层(102，202)大的带隙能量。
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