[发明专利]等离子体工艺设备及等离子体工艺设备的腔体腐蚀方法

摘要

在基底电极和反向电极之间加上高频电压产生等离子体进行等离子体CVD工艺，在晶片上形成一层二氧化硅薄膜之后，在等离子体工艺设备的等离子体腐蚀清洁中，基底电极有一碳化硅的绝缘体盖子盖住它的环形周边区，反向电极接地，碳氟化合物气体被引入腔体内，并用高频电源向基底电极供电进行腔体腐蚀，以此去除由等离子体CVD工艺形成在腔体内的不希望有的二氧化硅。

主权项

1.一种等离子体工艺设备的腔体腐蚀方法，所述设备包括一个供在其上支托样品晶片的基底电极，一个安置成盖住所述基底电极环形周边区的碳化硅绝缘体盖子，以及一个在腔体内面对所述基底电极的反向电极，使用在所述腔体内的等离子体反应气体以所述基底电极和反向电极分别与地和一高频电源相连经CVD工艺在所述晶片上形成一层二氧化硅层，所述二氧化硅层还作为不希望有的二氧化硅层淀积在包括所述绝缘体盖子和所述电极的所述腔体内的部件表面上，所述方法的特征在于，包括如下步骤：去掉所述晶片之后，去除所述部件表面上的所述不希望有的二氧化硅层；切断所述基底电极与地的连接，而使它与一高频电源相连；切断所述反向电极与所述高频电源的连接，而使它与地相连；向所述腔体内引入一种碳氟化合物气体；以及由所述高频电源向所述基底电极供给高频电能进行所述腔体的腐蚀，以此去除所述不希望有的二氧化硅层。