[发明专利]半导体器件的制造方法

摘要

本发明的半导体器件制造方法能在夹层介质层的通孔内形成导体塞。它在第一夹层介质层上形成第一布线层后形成第二夹层介质层并在该层中形成第一通孔，接着形成第一导电层盖住第一通孔，并形成第一保护层盖住第一导电层的第一凹陷部分。用ＣＭＰ法露出第二夹层介质层，并在第一通孔内留下第一凹陷部分，用它作导体塞在第一布线层和一将形成的第二布线层之间进行电气互连。

主权项

1．一种半导体器件的制造方法，其特征在于，它包括的步骤有：(a)制备一块半导体基体结构；(b)在所述基体结构上形成第一夹层介质层；(c)在所述第一夹层介质层上形成第一布线层；(d)在所述第一夹层介质层上形成第二夹层介质层覆盖所述第一布线层；(e)在所述第二夹层介质层中形成第一通孔使所述第一布线层的顶部曝露出来；(f)在所述第二夹层介质层上或是在其全部表面上形成第一导电层覆盖所述第一通孔，所述第一导电层具有第一凹陷部分，所述第一凹陷部分按照所述第一通孔构形定位在所述第一通孔内；(g)在所述第一导电层上形成第一保护层覆盖所述第一导电层的所述第一凹陷部分，所述第一保护层有第一埋入部分定位在所述第一导电层的所述第一凹陷部分上；以及(h)用含有所述第一导电层的氧化剂的抛光材料经化学／机械抛光工艺对所述第一保护层与所述第一导电层进行抛光直至所述第二夹层介质层曝露出来为止，以此在所述第一通孔内选择性地留下所述第一导电层的第一凹陷部分；其中留在所述第一通孔内的所述第一凹陷部分构成供所述第一布线层与一第二布线层电气互连的一个第一导电塞，所述第二布线层将要形成为与所述第一导电塞接触。