[发明专利]相移掩模及其制备方法无效
| 申请号： | 96121183.0 | 申请日： | 1996-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN1159073A | 公开（公告）日： | 1997-09-10 |
| 发明（设计）人： | 文承灿;郑宇荣 | 申请（专利权）人： | 现代电子产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027 |
| 代理公司： | 柳沈知识产权律师事务所 | 代理人： | 杨梧 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种制备半色调相移掩模的方法，该掩模中的Cr薄膜具有均匀厚度和无缺陷特征。本发明提供了一种制备DUV半色调相移掩膜的方法，包括沉积含氟(“F”)Cr薄膜的步骤，该薄膜对DUV光的透光率为4-10％且厚度为1000-1500。 | ||
| 搜索关键词： | 相移 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种制备DUV(深紫外线)相移掩模的方法，该方法包括步骤：提供一透明基底；和在该透明基底上形成具有一预定Cr与F原子组成比的含F的Cr薄膜。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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