[发明专利]半导体集成电路器件及其制造方法

摘要

半导体集成电路器件制造方法包括：(a)在半导体衬底第一主表面上的下电极上形成主要由氧化钽构成的电容器绝缘膜；(b)退火电容器绝缘膜；然后(c)在电容器绝缘膜上淀积主要由氮化钛构成的上电极，步骤(c)包括下列子步骤：(i)在子步骤(ii)之前，在已将半导体衬底引入到反应室中的条件下，使含钛源气体流过质量流量控制器；(ii)在将含钛源气体通过质量流量控制器引入反应室的同时将含氮还原气体引入到反应室中，从而淀积构成上电极的氮化钛膜；(iii)在子步骤(i)之前或同时，将惰性气体引入到含有半导体衬底的反应室中。通过在向反应室中引入还原气体前流过钛源气体和惰性气体，能够获得薄膜特性优良的氮化钛膜而不会破坏下电容器绝缘膜。

主权项

1.一种半导体集成电路器件的制造方法，包括以下步骤：(a)在第一温度下，在半导体衬底第一主表面上的下电极上形成主要由氧化钽构成的电容器绝缘膜；(b)在高于所述第一温度的第二温度下退火所述电容器绝缘膜；然后(c)在所述电容器绝缘膜上以低于所述第二温度的第三温度淀积主要由氮化钛构成的上电极，所述步骤(c)包括下列子步骤：(i)在已将所述半导体衬底引入到反应室中的条件下，开始使含钛源气体流过质量流量控制器并引入到所述反应室中；(ii)在继续引入含钛源气体的状态下，将含氮还原气体引入到所述反应室中，从而淀积构成所述上电极的氮化钛膜；(iii)在子步骤(i)之前或同时，将惰性气体引入到含有所述半导体衬底的所述反应室中。