[发明专利]半导体晶片、半导体器件和半导体器件的制造方法无效

专利信息
申请号: 96121405.8 申请日: 1996-11-11
公开(公告)号: CN1160290A 公开(公告)日: 1997-09-24
发明(设计)人: 中村和子 申请(专利权)人: 三菱电机株式会社
主分类号: H01L21/82 分类号: H01L21/82;H01L27/04
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 王以平
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 可防止半导体集成电路中焊点腐蚀的半导体晶片、半导体器件和制造该半导体器件的方法。沿切割线将带有半导体集成电路和从半导体集成电路上的引线焊点延伸到切割线的互连的半导体晶片切割成芯片。部分互连以测片焊点残留部分的形式留在芯片上,并用绝缘膜覆盖测片焊点残留部分的表面。这就防止了水之类从测片焊点残留部分侵入,从而防止了半导体集成电路中引线焊点的腐蚀,进而提高了半导体器件产品的可靠性和寿命。
搜索关键词: 半导体 晶片 半导体器件 制造 方法
【主权项】:
1.一种半导体晶片,它包含:带有第一焊点的用来制作半导体集成电路的半导体集成电路制作区;制作在上述半导体集成电路制作区周围的用来将上述半导体集成电路切割成芯片的切割区;存在于上述切割区上的第二焊点;以及对上述第一焊点和第二焊点进行电连接并在上述半导体集成电路制作区上有弯曲的互连。
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