[发明专利]晶片表面平面化的方法

摘要

一种用于晶片表面平面化的方法，包括以下步骤在晶片的表面上形成具有高浓度硼和磷的BPSG膜；在一个保持低温和低压的反应炉中对形成有BPSG膜的晶片进行热处理，以降低在BPSG表面的硼和磷的浓度；通过在较高温度的热处理，使BPSG膜平面化；通过向上述反应炉中供入预定的气体，在BPSG膜上生成薄的氧化物保护膜；以及在较低温度对BPSG膜热处理，因而防止在膜的表面上形成晶体沉积，提高半导体器件的性能和产量。

主权项

1、一种用于晶片表面平面化的方法，包括以下步骤：在晶片的表面上形成具有高浓度硼和磷的硼磷硅酸玻璃膜；在一个保持一低温和一低压的反应炉中对形成有硼磷硅酸玻璃膜的晶片进行热处理，以降低在硼磷硅酸玻璃表面的硼和磷的浓度；通过在一较高温度下的热处理，使硼磷硅酸玻璃膜平面化；通过向上述反应炉中供入预定的气体，在硼磷硅酸玻璃膜上生成一薄的氧化物保护膜；以及在一较低温度下对硼磷硅酸玻璃膜进行热处理。