[发明专利]电子发生装置,成像装置,及制造该电子发生装置的方法无效
| 申请号： | 96121577.1 | 申请日： | 1996-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN1106662C | 公开（公告）日： | 2003-04-23 |
| 发明（设计）人： | 藤井明;鲈英俊;山口英司 | 申请（专利权）人： | 佳能株式会社 |
| 主分类号： | H01J9/02 | 分类号： | H01J9/02;H01J1/316;H01J31/12 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 冯赓宣 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种几乎不受驱动电压变化影响的电子发生装置，一种使用该电子发生装置的成像装置，以及一种制造和调节这些装置的方法。一个多电子束源(300)的行布线层由一个控制电路(302)顺序有选择地控制，并且施加了一个脉冲电压，其值是一个直流电压源(301)输出的正常驱动电压的最大值1.05到1.5倍。多电子束源(300)的所有表面传导电子发射器件的特性被偏移到高电势侧。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 发生 装置 成像 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种电子发生装置，包括：多个表面传导电子发射器件，按矩阵安排在一个衬底上，其特征在于，在多个表面传导电子发射器件中的每一个的电子发射部分均形成之后，对所述多个表面传导电子发射器件施加一个电压脉冲，其值比正常驱动电压的最大值和可能进入所述表面传导电子发射器件的噪声电压之和所对应的电压值要大。
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