[发明专利]非易失性存贮单元及其编程方法无效
| 申请号： | 96121892.4 | 申请日： | 1996-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN1128450C | 公开（公告）日： | 2003-11-19 |
| 发明（设计）人： | 崔雄林 | 申请（专利权）人： | LG半导体株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/02 | 分类号： | G11C16/02 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 黄敏 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种非易失性存贮单元及其编程方法，其中，对于单个或多电平编程，分别将所预置的电压加到控制栅、源极和漏极以改变在该浮置栅上的电荷量从而使得在初始阶段在一晶体管中的一沟道是关断的而初始阶段之后被接通，并且当该沟道区域的导电性达到一参考值时终止对该控制栅和编程/选择栅的电压供给以终止该编程。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 存贮 单元 及其 编程 方法 | ||
【主权项】：
1、一种非易失性存贮单元，包含有：一编程/选择栅，用来作为用于在编程、读取和擦除中选择一单元的端子并在编程中用于编程；一浮置栅，用来存贮用以存贮数据的电荷并且在编程中将所提取的该电荷送到编程/选择栅；一控制栅，用来在编程中在该浮置栅处诱发一电势以对由浮置栅到编程/选择晶体管的被提取的电荷量进行控制；和一晶体管单元，具有浮置栅、编程/选择栅、一沟道区域、一源极和一漏极，并且具有在编程期间与该编程电流通道完全分离的一监控通道以便用来在进行编程的同时监控一被编程的状态，其中在编程/选择栅和浮置栅之间构成一隧道效应二极管。
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