[发明专利]制造共水解的聚硅氧烷电荷转移材料的方法无效
| 申请号： | 96121994.7 | 申请日： | 1996-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN1138182C | 公开（公告）日： | 2004-02-11 |
| 发明（设计）人： | 栉引信男;竹内贵久子;小林秀树;正富亨 | 申请（专利权）人： | 陶氏康宁亚洲株式会社;陶氏康宁东丽西林根株式会社 |
| 主分类号： | G03G5/047 | 分类号： | G03G5/047 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 全菁 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种通过在聚硅氧烷树脂范围内以有效浓度均匀键合电荷转移基团制造具有电荷转移性质的聚硅氧烷树脂的方法。通过共水解和缩合硅烷单体与芳族取代的叔胺形成的电荷转移基团，该叔胺已由一个或多个具有含烃基并带有可水解取代基的甲硅烷基的芳环改性。叔胺具有电离势为4.5至6.2伏。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 水解 聚硅氧烷 电荷 转移 材料 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造具有电荷转移性质的聚硅氧烷材料的方法，该方法包括在有机溶剂中共水解和缩合一种混合物，该混合物包括有机硅化合物或有机硅化合物的部分水解产物，及由下式表示的电荷转移硅化合物：A-[R1SiR23-nQn]p 其中A表示由具有电离势4.5至6.2eV的电荷转移化合物衍生的有机基团，该基团是芳族取代的叔胺，具有多个芳族基团，其中至少一个芳族烃基与R1键合，R1是含有1至18个碳原子的亚烷基；R2是1至15个碳原子的单价烃基或卤素取代的单价烃基；Q是可水解基团；n是1至3的整数；p是1至3的整数；其中有机硅化合物选自R3SiZ，R2SiZ2，R1SiZ3和SiZ4，其中R是单价烃基，Z是可水解基团，由此提供具有单价烃基与硅原子之比为0.5至1.5的聚硅氧烷树脂。
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