[发明专利]一种金属漏版材料及漏版制作技术无效
| 申请号： | 96122379.0 | 申请日： | 1996-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN1185023A | 公开（公告）日： | 1998-06-17 |
| 发明（设计）人： | 邴秀华;叶如华 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春物理研究所 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 130021*** | 国省代码： | 吉林;22 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种用于半导体器件制造的掩膜蒸发技术。本发明提供了一种金属漏版材料及漏版制作技术,可以得到具有尺寸精确、边缘整齐图形的漏版。金属漏版材料可以是任何可选择腐蚀的金属的组合,即在一种金属基片的一个面上复合上可与原金属基片选择腐蚀的另一种金属制成多层金属材料,制作漏版时先对金属基片进行首次腐蚀,然后对金属复合层进行选择腐蚀,最后在金属基片腐蚀液中进行最终腐蚀。由于金属复合层的厚度仅为μm,侧向腐蚀微小,形成的图形尺寸精确、边缘整齐,在腐蚀金属基片时选用对复合层材料没有腐蚀作用的腐蚀液,复合层仍保持原有的精确图形。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金属 材料 制作 技术 | ||
【主权项】：
1、一种金属漏版材料及漏版制作技术，金属漏版材料可以是任何可选择腐蚀的金属的组合，即在一种金属基片的一个面上复合上可与原金属基片选择腐蚀的另一种金属制成多层金属材料，制作漏版时先对金属基片进行首次腐蚀，然后对金属复合层进行选择腐蚀，最后在金属基片腐蚀液中进行最终腐蚀。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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