[发明专利]离子注入器中离子束形成的方法和装置无效

专利信息
申请号: 96122647.1 申请日: 1996-10-18
公开(公告)号: CN1160287A 公开(公告)日: 1997-09-24
发明(设计)人: V·M·本文尼斯特 申请(专利权)人: 易通公司
主分类号: H01L21/265 分类号: H01L21/265
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 吴增勇,王岳
地址: 美国俄*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 低能量离子注入器(10)有发射离子(14)的离子源(12),和注入室(17)。质量分析磁铁(122)配置在沿源和注入室之间的束通道上。磁铁包括多个磁极靴(110,112),并有面向内的极面(114,116),至少确定离子偏转区(12)的一部分。电流传导线圈(122,123)在极靴附近的偏转区建立二极磁场(BO)。附加的线圈(130,131,132,133,134,135,136,137)在偏转区建立四极磁场(Q1,Q2,Q3,Q4)。控制器(100)电连接到磁铁的线圈,控制电流通过电流传导线圈,在极靴附近的偏转区产生磁场。
搜索关键词: 离子 注入 离子束 形成 方法 装置
【主权项】:
1.一种从离束(14)中过滤粒子的方法,该方法包含以下步骤:a)使离子束运动通过磁场区(120),b)至少激励一个二极场产生线圈(122,123),在磁场区产生二极磁场(BO),c)至少激励一个四极场产生线圈(130,131,132,133,134,135,136,137),在磁场区产生迭加在二极磁场上的四极磁场(Q1,Q2,Q3,Q4),和d)控制对至少一个二极场产生线圈和至少一个四极场产生线圈的激励,以便当离子来在磁场区运动时,从离子速中过滤粒子。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于易通公司,未经易通公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/96122647.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top