[发明专利]离子注入器中离子束形成的方法和装置无效
申请号: | 96122647.1 | 申请日: | 1996-10-18 |
公开(公告)号: | CN1160287A | 公开(公告)日: | 1997-09-24 |
发明(设计)人: | V·M·本文尼斯特 | 申请(专利权)人: | 易通公司 |
主分类号: | H01L21/265 | 分类号: | H01L21/265 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 吴增勇,王岳 |
地址: | 美国俄*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 低能量离子注入器(10)有发射离子(14)的离子源(12),和注入室(17)。质量分析磁铁(122)配置在沿源和注入室之间的束通道上。磁铁包括多个磁极靴(110,112),并有面向内的极面(114,116),至少确定离子偏转区(12)的一部分。电流传导线圈(122,123)在极靴附近的偏转区建立二极磁场(BO)。附加的线圈(130,131,132,133,134,135,136,137)在偏转区建立四极磁场(Q1,Q2,Q3,Q4)。控制器(100)电连接到磁铁的线圈,控制电流通过电流传导线圈,在极靴附近的偏转区产生磁场。 | ||
搜索关键词: | 离子 注入 离子束 形成 方法 装置 | ||
【主权项】:
1.一种从离束(14)中过滤粒子的方法,该方法包含以下步骤:a)使离子束运动通过磁场区(120),b)至少激励一个二极场产生线圈(122,123),在磁场区产生二极磁场(BO),c)至少激励一个四极场产生线圈(130,131,132,133,134,135,136,137),在磁场区产生迭加在二极磁场上的四极磁场(Q1,Q2,Q3,Q4),和d)控制对至少一个二极场产生线圈和至少一个四极场产生线圈的激励,以便当离子来在磁场区运动时,从离子速中过滤粒子。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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