[发明专利]用于制备光学基体上防水涂层的材料及方法无效
| 申请号： | 96122668.4 | 申请日： | 1996-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN1152153C | 公开（公告）日： | 2004-06-02 |
| 发明（设计）人： | R·多伯罗斯基;M·弗里兹 | 申请（专利权）人： | 默克专利股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/12 | 分类号： | C23C14/12;C03C17/30;G02B1/10 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 徐汝巽 |
| 地址： | 联邦德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于在光学基体上制备防水涂层的材料和方法。在高真空下对基体使用通式I的化合物：CnF2n+1-(CH2)m-Si(R1R2R3) (I),其中，R1是具有1～3个碳原子的烷氧基或是CnF2n+1-(CH2)m-Si(R2R3)-O-,R2和R3是具有1～3个碳原子的烷基或烷氧基，n是1～12,m是1～6。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制备 光学 基体 防水 涂层 材料 方法 | ||
【主权项】：
1、在高真空下，用有机硅烷化合物，通过加热气相涂敷法在光学基体上制备防水涂层的方法，其特征在于所说的气相涂敷是用通式I的化合物进行的，CnF2n+1-(CH2)m-Si(R1R2R3) (I)其中，R1是具有1～3个碳原子的烷氧基或是CnF2n+1-(CH2)m-Si(R2R3)-O- R2和R3是具有1～3个碳原子的烷基或烷氧基，n是1～12m是1～6，和通过浸渍或通过逐滴加入，将通式I的化合物或其溶液引入多孔无机氧化物基质中。
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