[发明专利]导电性球搭载装置无效
申请号: | 96122761.3 | 申请日: | 1996-10-30 |
公开(公告)号: | CN1059515C | 公开(公告)日: | 2000-12-13 |
发明(设计)人: | 中里真一 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;B23K3/00 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 王以平 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 在用搭载吸附装置吸附用于在产品的电极上形成突出电极的导电性球时,可确实地吸附贮存部分中导电性球的导电性球搭载装置。该装置的箱体下表面上形成真空吸附导电性球的吸附孔,在其下表面未形成吸附孔的部分上形成凹下部分。为吸附导电性球,使箱体降落于贮存于容器中的导电性球层的上表面,为使导电性球流动,已吹进容器的气体往上吹向凹入部分。因此,导电性球的表层部分其整体充分地流动化,所以,可以把导电性球通过真空吸附而吸附到所有的吸附孔上。 | ||
搜索关键词: | 导电性 搭载 装置 | ||
【主权项】:
1、导电性球搭载装置,具有:存储导电性球的贮存部分;用负压把该导电性球吸附于下表面吸附孔上的搭载吸附装置,用于把该导电性球搭载于已由定位部分定好了位置的产品上;以及向上述贮存部分中送入气体使上述贮存部分中的导电性球流动的装置;其特征在于:在上述搭载吸附装置的下表面上设置有突出部分和凹入部分,在上述突出部分中形成有吸附孔,在上述凹入部分中形成有用于使送入到上述贮存部分中的气体逃逸的气体逃逸用凹槽。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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