[发明专利]杂质的导入方法及其装置和半导体器件的制造方法

摘要

向真空槽内导入惰性或反应性气体，以良好的效率产生杂质，以在固体样品的表面部分上形成高浓度的杂质层。在真空槽内保持杂质固体和固体样品。向真空槽内导入Ar气以形成等离子体。给杂质固体加上使其对于等离子体变成阴极的电压，用等离子体中对杂质固体溅射以使其中的硼混入等离子体中，给固体样品加上使其对于等离子体变成为阴极的电压，把已混入等离子体中的硼导入固体样品的表面部分中去。

主权项

1.一种杂质导入方法，其特征是具备有下述工序：在真空槽内，保持含有杂质的杂质固体和将要导入上述杂质的固体样品的工序；向上述真空槽的内部导入惰性或反应性气体并产生由该惰性或反应性气体形成的等离子体的工序；给上述杂质固体加上使该杂质固体对于等离子体变成为阴极的那样的电压，用上述等离子体中的离子对上述杂质固体进行溅射，以此使含于该杂质固体中的杂质混入到由上述惰性或反应性气体形成的等离子体中去的工序；给上述固体样品加上使该固体样品对于等离子体变成为阴极的那样的电压，使已混入到上述等离子体中去的上述杂质导入上述固体样品的表面部分上去的工序。