[发明专利]绝缘体上硅薄膜晶体管无效
| 申请号： | 96122891.1 | 申请日： | 1996-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN1081833C | 公开（公告）日： | 2002-03-27 |
| 发明（设计）人： | 铃木裕二;高野仁路;铃村正彦;早崎嘉城;岸田贵司;白井良史 | 申请（专利权）人： | 松下电工株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 张政权 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种SOI(绝缘体上硅)型薄膜晶体管，包括掩埋氧化层、第一导电类型的硅层，以及上氧化层。硅层具有第二导电类型的体区、第一导电类型的源区、漏区以及漂移区。硅层形成有在其中形成掺杂区且厚度为T1的第一部分，以及在其中形成到达掩埋氧化层的体区且厚度为T2的第二部分。确定厚度T1和T2，以便满足以下关系式0.4μm＜T1；0.4μm≤T2≤1.5μm；以及T2＜T1。此晶体管显示出改进的功耗、高的击穿电压和低的导通电阻，同时也具备制作工艺方法的优点。$#! | ||
| 搜索关键词： | 绝缘体 薄膜晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种绝缘体上的硅型薄膜晶体管，包括：在半导体衬底上形成的掩埋氧化层；在所述掩埋氧化层上形成的第一导电类型的硅层，所述硅层具有第二导电类型的体区、所述第一导电类型的源区、所述第一导电类型的漏区，以及在所述源和漏区之间形成的所述第一导电类型的漂移区，在所述体区中形成所述源区，以与所述掩埋氧化层相隔开；在所述硅层上形成上氧化层；与所述体区和所述源区两者相接触的源极；与所述漏区接触的漏极；以及位于所述源和漏极之间并由薄的氧化层与所述硅层相隔开的栅极；其特征在于所述硅层形成有在其内形成漂移区且厚度为T1的第一部分，以及在其内形成到达所述掩埋氧化层的所述体区且厚度为T2的第二部分，以及其中所述的厚度T1和T2，为此加以确定，俾使满足以下关系式：0.4μm＜T10.4μm≤T2≤1.5μmT2＜T1。
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