[发明专利]半导体器件无效
| 申请号： | 96123276.5 | 申请日： | 1996-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN1084932C | 公开（公告）日： | 2002-05-15 |
| 发明（设计）人： | 押野雄一 | 申请（专利权）人： | 东芝株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/74 | 分类号： | H01L29/74 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 孙敬国 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明揭示一种半导体器件，包括在N型漏极区的一主面上淀积1016原子数／cm3以上的杂质，扩散10μm形成阳极区，在N型漏极区的另一主面上用离子注入法形成P型基极区、N型源极区。而在所述另一主面上通过控制栅氧化膜形成控制极，在所述漏极区内，有选择地设置低寿命层。因此即使长时间保持在高温状态下，也能防止Fe污染引起的器件特性的变化。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：第1导电型的漏极区，在所述漏极区的第1主表面上形成的第2导电型的阳极区，在所述漏极区的第2主表面上形成的第1导电型的源极区，在所述漏极区的第2主表面上形成的第2导电型的基极区，在所述漏极区的第2主表面上形成的栅电极，在所述漏极区上形成的低寿命层，其特征在于，所述阳极区具有离开所述漏极区的第1主表面7μm以上的深度，而且具有1016原子数/cm3以上的杂质浓度，所述漏极区包括延伸到其中的耗尽层，所述耗尽层在加上额定电压时达不到低寿命层。
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